RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
51
Autour de -96% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.2
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
26
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
19.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
3180
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
SpecTek Incorporated OP:71100 03/13 2M 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link