RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
51
Autour de -122% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
23
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
2619
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link