RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
51
Autour de -42% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
36
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
3009
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston 99P5471-043.A00LF 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link