RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
49
Autour de -63% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
30
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
3155
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link