RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
49
Autour de -69% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.3
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
29
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
13.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
2442
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link