RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
49
Autour de -75% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
3628
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link