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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
49
Autour de -113% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
23
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
2851
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M393B1K73DH0-CK0 8GB
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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