RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
49
Autour de -20% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
41
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
2656
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Corsair CMSA4GX3M1A1333C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link