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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
46
49
Autour de -7% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
46
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
2973
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
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