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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
49
Autour de -113% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
23
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
2537
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
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Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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