RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
49
Autour de -63% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.8
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
30
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
3394
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link