RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
49
Autour de -133% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.5
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
21
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
3512
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link