RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
49
Autour de -96% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.6
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
25
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
19.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
3774
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB Comparaison des RAM
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link