RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
49
Autour de -145% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.3
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
20
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
20.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
3632
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link