RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
49
Autour de -145% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.3
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
20
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
20.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
3632
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link