RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
49
Autour de -75% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.8
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
16.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
3889
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link