RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
49
Autour de -75% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.6
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
3716
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link