RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.2
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
49
Autour de -36% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
36
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
9.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
2090
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link