RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
49
75
Autour de 35% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
6.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
75
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
1548
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G160081 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link