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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
49
Autour de -63% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
30
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
2953
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Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF552C40-16 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
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Kingston K821PJ-MIB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
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