RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.2
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
49
Autour de -48% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
33
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
9.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
8.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
2286
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Team Group Inc. Quad-Vulcan-1866 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6EFR8A
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link