RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
49
Autour de -75% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
3480
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link