RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Note globale
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
52
Autour de -86% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
28
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2179
2637
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link