RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Comparez
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Note globale
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
52
Autour de -126% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
23
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2179
3025
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link