RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Comparez
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Note globale
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
52
65
Autour de 20% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
65
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2179
1921
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link