RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
52
Autour de -108% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.7
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
25
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
20.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
17.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2179
3942
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link