RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Comparez
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Note globale
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Note globale
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
52
Autour de -73% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
30
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2179
3506
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link