RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Comparez
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Note globale
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
52
Autour de -86% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
28
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2179
2443
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link