RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
44
Autour de -29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
34
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
3505
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link