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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation William Hemmens 4GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Avexir Technologies Corporation William Hemmens 4GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation William Hemmens 4GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation William Hemmens 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
44
Autour de -159% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.3
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation William Hemmens 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
44
17
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
19.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
12800
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
3376
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation William Hemmens 4GB Comparaison des RAM
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G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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