RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
44
Autour de -52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
29
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
3221
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link