RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
44
Autour de -57% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
28
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
3367
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KL9A 4GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link