RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
44
Autour de -16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
38
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
2638
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link