RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
44
Autour de -29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
34
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
2831
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Inmos + 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link