RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
44
Autour de -57% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
28
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
3402
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link