RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
44
Autour de -38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
32
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
3357
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link