RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
44
Autour de -26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
35
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
3299
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston KP223C-ELD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.CP10C 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link