RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
44
Autour de -42% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
31
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
3520
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB Comparaison des RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link