RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
44
Autour de -38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
32
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
2677
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link