RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
44
Autour de -52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
29
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
3023
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link