RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
44
90
Autour de 51% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.6
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
90
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
7.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
1546
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link