RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
44
Autour de -33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.5
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
33
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
2588
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link