RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
44
Autour de -69% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.2
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
26
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
17.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
3885
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905471-054.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link