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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
44
Autour de -29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
34
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
3465
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
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