RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
44
Autour de -52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
29
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
2968
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link