RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
44
Autour de -100% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
22
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
3036
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link