RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
44
52
Autour de 15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.2
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
52
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
2169
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link