Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Inmos + 256MB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Inmos + 256MB

Note globale
star star star star star
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Note globale
star star star star star
Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

Différences

Inmos + 256MB Raisons de considérer
Inmos + 256MB
Signaler un bogue
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    30 left arrow 44
    Autour de -47% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    11.5 left arrow 11.2
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    9.1 left arrow 8.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    16800 left arrow 10600
    Autour de 1.58 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Inmos + 256MB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    44 left arrow 30
  • Vitesse de lecture, GB/s
    11.2 left arrow 11.5
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.1 left arrow 9.1
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 16800
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow no data
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2293 left arrow 2318
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons