RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
44
66
Autour de 33% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
66
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
7.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
1820
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link