RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
44
Autour de -42% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.4
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
31
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
2447
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link