RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
44
54
Autour de 19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.2
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
10600
Autour de 2.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
54
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
23400
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
2259
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link